ファウンドリー（半導体委託生産）復活を夢見るインテルが１．４ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）級半導体の量産計画を発表した。インテルは人工知能（ＡＩ）半導体に向けたオーダーメード型ファウンドリーに変身し、サムスン電子を抜いて業界２位に跳躍するという抱負も明らかにした。

インテルは２１日、米カリフォルニア州サンノゼコンベンションセンターで開かれた「ＩＦＳダイレクトコネクト」で、「世界で初めてＡＩ時代に向けたシステムズファウンドリーをスタートする。１４Ａ（オングストローム、１Ａは０．１ナノメートル）工程を２０２７年中に量産し、これを基に２０３０年までに業界２位のファウンドリーに跳躍するだろう」と明らかにした。インテルは２０２１年に「４年間５個の工程を開発する」としてインテル７～１８Ａロードマップを提示しており、その後の計画はこの日初めて公開した。

◇「顧客もすでに確保」…１ナノ強調するインテル

インテルが力を入れる工程は１４Ａ工程だ。オレゴン州のファブでＡＳＭＬの高ＮＡ　ＥＵＶ装備を業界で初めて活用し１４Ａ工程を開発する計画だ。このためゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）技術に当たるリボンフェット、バックサイド電力供給技術のパワービアなど自社の最先端技術をすべて導入する予定だ。

１８Ａ工程に対する自信も見せた。インテルはこの日、「昨年に前金を入金した有意味な　１８Ａ顧客４社を確保し、顧客とともに今年設計と製造を始め来年から本格的に製品を発売する計画」と明らかにした。続けて「こうしたロードマップを基に２０２５年には業界のリーダーシップを取り戻し、２０３０年までに業界２位になるだろう」と明らかにした。現在世界のファウンドリー市場でシェア２位であるサムスン電子を抜くという意味だ。

ファウンドリー世界１位であるＴＳＭＣとサムスン電子は２０２２年に３ナノの量産を始めた。現在の最も先を行く工程も３ナノだ。インテルは「３ナノ級に当たるインテル３の開発をすでに完了し、サーバー製品に適用して上半期から量産を始める」と明らかにした。ＴＳＭＣやサムスン電子に２年ほど遅れているが、２０２７年になれば話が変わる。３社がすべて１．４ナノ級工程の量産時期を２０２７年とみているからだ。インテルの計画通りならば２０２７年にはＴＳＭＣやサムスン電子の後を追わず肩を並べることになる。

◇インテルとサムスンの神経戦

サムスン電子の立場では牽制しなければならない対象だ。サムスン電子も同日アームと協力を拡大し「ＧＡＡ工程技術競争力を高度化する」という計画を明らかにした。両社の協力を通じてファブレス顧客のＧＡＡ工程へのアクセス性を高めて次世代製品開発に要する時間と費用を最小化するという内容だ。サムスン電子のケ・ジョンウク副社長は「ファブレスにＧＡＡ工程基盤の超高性能、超低電力コアテックスＣＰＵを出して生成型ＡＩ時代に合わせた革新を支援するだろう」と明らかにした。

ある半導体業界関係者は「３ナノ以下になるほど物理的限界によりパッケージングなど他の要素がますます重要になるが、インテルはこの分野に強みを持っている。自国での半導体生産を望む米国政府の全面的な支援まで加わりシナジーを出すこともできる」と話した。

だが半導体業界では当分インテルがサムスン電子に追いつくのは容易でないとみる。先端工程は開発だけでなく量産過程で安定した歩留まりを確保するのが重要なためだ。インテルはまだ３～４ナノ工程で十分な経験がない。半導体業界関係者は「インテルが本格的にＥＵＶを適用したのはインテル４、インテル３だが、これもまた安定的に量産した経験がない。これよりさらに発展した高ＮＡ　ＥＵＶを活用して安定した歩留まりを確保するまでは時間と経験がさらに必要だろう」と話した。

インテルはこの日、ＡＩ用半導体需要増加にともなうオーダーメード用製造に対する攻略も明らかにした。アーム、シノプシス、ケイデンス、シーメンス、アンシスなど半導体設計資産（ＩＰ）設計自動化（ＥＤＡ）企業と協力を通じ、ＡＩ時代に合わせたオーダーメード型システムファウンドリーになるという計画だ。インテルのゲルシンガー最高経営責任者（ＣＥＯ）は「ＡＩは世界を変化させており、これは革新的なチップデザイナーとインテルのファウンドリーに前例のない機会になるだろう。われわれはともに新しい市場を開拓し人類の暮らしの質を向上する技術革新を実現できるだろう」と話した。